Биполярный транзистор CMPT5551E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMPT5551E
Маркировка: C555
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для CMPT5551E
CMPT5551E Datasheet (PDF)
cmpt5551e.pdf

CMPT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging.MARKING CODE: C555FEATURES: High Collector Breakdown Voltag
cmpt5551.pdf

CMPT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE: 1FFSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage
cmpt5551hc.pdf

CMPT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING CODE: 1FHCSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS:
cmpt5179.pdf

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N6122 | SL13003B1 | 2N974 | TSD882CK | 2N6455 | 2SC3208 | 2SD419
History: 2N6122 | SL13003B1 | 2N974 | TSD882CK | 2N6455 | 2SC3208 | 2SD419



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet