Биполярный транзистор CMPT5551HC Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMPT5551HC
Маркировка: 1FHC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для CMPT5551HC
CMPT5551HC Datasheet (PDF)
cmpt5551hc.pdf

CMPT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING CODE: 1FHCSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS:
cmpt5551.pdf

CMPT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE: 1FFSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage
cmpt5551e.pdf

CMPT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging.MARKING CODE: C555FEATURES: High Collector Breakdown Voltag
cmpt5179.pdf

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA
Другие транзисторы... CMPT3906E , CMPT404A , CMPT4209 , CMPT491E , CMPT5087E , CMPT5088E , CMPT5401E , CMPT5551E , 13001-A , CMPT591E , CMPT7410 , CMPT7820 , CMPT992 , CMPT992P , CMPTA14E , CMPTA42E , CMPTA46 .
History: 2SB1417 | KRA111M | KTD1003B | BCY78B | BUS13-6 | BC412 | SM2285
History: 2SB1417 | KRA111M | KTD1003B | BCY78B | BUS13-6 | BC412 | SM2285



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont