Справочник транзисторов. CMPT5551HC

 

Биполярный транзистор CMPT5551HC Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMPT5551HC
   Маркировка: 1FHC
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMPT5551HC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  central
cmpt5551hc.pdfpdf_icon

CMPT5551HC

CMPT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING CODE: 1FHCSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS:

 6.1. Size:323K  central
cmpt5551.pdfpdf_icon

CMPT5551HC

CMPT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE: 1FFSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage

 6.2. Size:329K  central
cmpt5551e.pdfpdf_icon

CMPT5551HC

CMPT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging.MARKING CODE: C555FEATURES: High Collector Breakdown Voltag

 9.1. Size:323K  central
cmpt5179.pdfpdf_icon

CMPT5551HC

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | CPH5520 | MP4051 | ZTX503M | D43C8 | 2SC1727

 

 
Back to Top

 


 
.