D596 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D596  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D596

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D596 даташит

 ..1. Size:201K  gsme
d596.pdfpdf_icon

D596

 0.1. Size:249K  nec
2sd596.pdfpdf_icon

D596

 0.2. Size:322K  secos
2sd596.pdfpdf_icon

D596

2SD596 0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High DC Current gain A L Complementary to 2SB624 3 3 Top View C B 1 MARKING 1 2 2 K E DV4 D PACKAGE INFORMATION H J F G Millimeter Millimeter Package MPQ Leader Size REF. REF. Min. Max

 0.3. Size:126K  cdil
csd596.pdfpdf_icon

D596

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD596 PIN CONFIGURATION (NPN) SOT-23 1 = BASE 2 = EMITTER Formed SMD Package 3 = COLLECTOR 3 1 2 Marking Code CSD596 - C1 CSD596O- C10 CSD596Y- C1Y Low Frequency Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Base Vo

Другие транзисторы: D44H11G, D44H8G, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, A940, D882H, D882M, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G