D965-R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: D965-R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 340
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для D965-R
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
D965-R даташит
d965-r.pdf
MCC Micro Commercial Components TM D965-T 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 D965-R Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features NPN Power Dissipation PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current ICM=5A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking D965T/R
2sd965-r 2sd965-s.pdf
2SD965 TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1. BASE Large Collector Power Dissipation and Current 2. COLLECTOR Mini Power Type Package 3. EMITTER D 965 MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22 V VEBO Emitter-Base
d965-t.pdf
MCC Micro Commercial Components TM D965-T 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 D965-R Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features NPN Power Dissipation PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current ICM=5A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking D965T/R
2sd965-q.pdf
Product specification 2SD965-Q Unit mm SOT-89 1.50 0.1 4.50 0.1 1.80 0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory operation performances at high efficiency with 1 2 3 the low-voltage power supply. 0.44 0.1 0.48 0.1 0.53 0.1 3.00 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating
Другие транзисторы: D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H, D882M, D965ASS, TIP35C, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G
History: HN1B01F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo





