D965-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: D965-T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 560
Корпус транзистора: TO-92
D965-T Datasheet (PDF)
d965-t.pdf
MCC Micro Commercial Components TM D965-T 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 D965-R Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features NPN Power Dissipation PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current ICM=5A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking D965T/R
d965-r.pdf
MCC Micro Commercial Components TM D965-T 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 D965-R Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features NPN Power Dissipation PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current ICM=5A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking D965T/R
2sd965-q.pdf
Product specification 2SD965-Q Unit mm SOT-89 1.50 0.1 4.50 0.1 1.80 0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory operation performances at high efficiency with 1 2 3 the low-voltage power supply. 0.44 0.1 0.48 0.1 0.53 0.1 3.00 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating
2sd965-r 2sd965-s.pdf
2SD965 TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1. BASE Large Collector Power Dissipation and Current 2. COLLECTOR Mini Power Type Package 3. EMITTER D 965 MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22 V VEBO Emitter-Base
Другие транзисторы... D45VH10G , D471A , D596 , D882H , D882M , D965ASS , D965-R , D965SS , 8050 , D965V , DBC846BPDW1T1G , DBC847BPDW1T1G , DBC847CPDW1T1G , DBC848BPDW1T1G , DBC848CPDW1T1G , DBMT9015 , DC0150ADJ .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor






