Справочник транзисторов. DBC846BPDW1T1G

 

Биполярный транзистор DBC846BPDW1T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DBC846BPDW1T1G
   Маркировка: BB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для DBC846BPDW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DBC846BPDW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  dxc
 dbc846bpdw1t1g dbc847bpdw1t1g dbc847cpdw1t1g dbc848bpdw1t1g dbc848cpdw1t1g.pdf pdf_icon

DBC846BPDW1T1G

Dual General Purpose TransistorsDual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)DBC846BPDW1T1GDBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isDBC847CPDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.DBC848BPDW1T1GWe declare that the material of product compliance wit

Другие транзисторы... D596 , D882H , D882M , D965ASS , D965-R , D965SS , D965-T , D965V , 2SD2499 , DBC847BPDW1T1G , DBC847CPDW1T1G , DBC848BPDW1T1G , DBC848CPDW1T1G , DBMT9015 , DC0150ADJ , DC0150BDJ , DC8050 .

 

 
Back to Top

 


 
.