CHIMX1GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHIMX1GP  📄📄 

Маркировка: IX1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-457

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для CHIMX1GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHIMX1GP даташит

 ..1. Size:190K  chenmko
 chimx1gp.pdf pdf_icon

CHIMX1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMX1GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=2.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation curre

 9.1. Size:163K  chenmko
 chimx3gp.pdf pdf_icon

CHIMX1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMX3GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=2.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation curre

 9.2. Size:163K  chenmko
 chimx2gp.pdf pdf_icon

CHIMX1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMX2GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=2.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation curre

Другие транзисторы: DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ, DC8050, DC9018, DCP55-16-13, A1013, CHIMX2GP, CHIMX3GP, CHP69GP, CHRT5993PT, CHRT5993TGP, CHRT5993WGP, CHT05GP, CHT06UPNGP