CHT06UPNGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHT06UPNGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-457

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для CHT06UPNGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHT06UPNGP даташит

 ..1. Size:91K  chenmko
 cht06upngp.pdf pdf_icon

CHT06UPNGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT06UPNGP SURFACE MOUNT NPN/PNP Silicon AF Transistor Array VOLTAGE 80 Volts CURRENT 0.5 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other switching applications. FEATURE SC-74/SOT-457 * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturat

Другие транзисторы: CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP, CHP69GP, CHRT5993PT, CHRT5993TGP, CHRT5993WGP, CHT05GP, 2222A, CHT1198GP, CHT122ZGP, CHT127ZGP, CHT1797XGP, CHT2000ZGP, CHT200PGP, CHT210PGP, CHT2222AGP