Биполярный транзистор CHT2000ZGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CHT2000ZGP
Маркировка: ZMN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для CHT2000ZGP
CHT2000ZGP Datasheet (PDF)
cht2000zgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2000ZGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 200 Volts CURRENT 0.6 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.156.50+0.20* Suitable for high packing density.0.90+0.052.0+0.33.00+0.10* High saturation curr
cht200pgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT200PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 5 AmpereFEATURE* Small flat package. (DPAK)* Low saturation voltage VCE(sat)=0.3V(max.)(IC=500mA) * High saturation current capability.DPAKCONSTRUCTION* NPN Switching Transistor.094 (2.38).086 (2.19).022 (0.55).018 (0.45)(1) (3)(2).028 (0.70).019 (0.50).035 (0.
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050