CHT5551XGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHT5551XGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для CHT5551XGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHT5551XGP даташит

 ..1. Size:121K  chenmko
 cht5551xgp.pdf pdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551XGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-62/SOT-89 FEATURE * Suitable for high packing density. 4.6MAX. 1.6MAX. 1.7MAX. 0.4+0.05 CONSTRUCTION *NPN SILICON Transistor +0.08 0.45-0.05 +0.08 +0.08 0.40-0.05 0.

 7.1. Size:102K  chenmko
 cht5551wgp.pdf pdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551WGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. SC-70/SOT-323 FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * Suitable for high packing density. CONSTRUCTION 0.65 1.3 0.1 2.0 0.2 0.65 * NPN transistors in one package. 0.3 0.1 1.25 0.1

 7.2. Size:150K  chenmko
 cht5551gp.pdf pdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551GP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Small flat package. ( SOT-23 ) * Suitable for high packing density. (1) CONSTRUCTION (3) *NPN SILICON Transistor (2) CONSTRUCTION FT ( ) ( ) .055 1.40

 7.3. Size:135K  chenmko
 cht5551zgp.pdf pdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551ZGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. ( SC-73/SOT-223 ) * Suitable for high packing density. 1.65+0.15 6.50+0.20 0.90+0.05 2.0+0.3 3.00+0.10 CONSTRUCTION *NPN SIL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHT5401GP, CHT5401SGP, CHT5401WGP, CHT5401XGP, CHT5401ZGP, CHT5551GP, CHT5551SGP, CHT5551WGP, 2SD718, CHT5551ZGP, CHT5564XGP, CHT55GP, CHT5824XGP, CHT5889GP, CHT589GP, CHT5946GP, CHT5988ZGP