CHT5551XGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHT5551XGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHT5551XGP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для CHT5551XGP

 

CHT5551XGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  chenmko
cht5551xgp.pdfpdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551XGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-62/SOT-89 FEATURE * Suitable for high packing density. 4.6MAX. 1.6MAX. 1.7MAX. 0.4+0.05 CONSTRUCTION *NPN SILICON Transistor +0.08 0.45-0.05 +0.08 +0.08 0.40-0.05 0.

 7.1. Size:102K  chenmko
cht5551wgp.pdfpdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551WGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. SC-70/SOT-323 FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * Suitable for high packing density. CONSTRUCTION 0.65 1.3 0.1 2.0 0.2 0.65 * NPN transistors in one package. 0.3 0.1 1.25 0.1

 7.2. Size:150K  chenmko
cht5551gp.pdfpdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551GP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Small flat package. ( SOT-23 ) * Suitable for high packing density. (1) CONSTRUCTION (3) *NPN SILICON Transistor (2) CONSTRUCTION FT ( ) ( ) .055 1.40

 7.3. Size:135K  chenmko
cht5551zgp.pdfpdf_icon

CHT5551XGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551ZGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. ( SC-73/SOT-223 ) * Suitable for high packing density. 1.65+0.15 6.50+0.20 0.90+0.05 2.0+0.3 3.00+0.10 CONSTRUCTION *NPN SIL

Другие транзисторы... CHT5401GP , CHT5401SGP , CHT5401WGP , CHT5401XGP , CHT5401ZGP , CHT5551GP , CHT5551SGP , CHT5551WGP , 2SD718 , CHT5551ZGP , CHT5564XGP , CHT55GP , CHT5824XGP , CHT5889GP , CHT589GP , CHT5946GP , CHT5988ZGP .

History: BDX35

 

 
Back to Top

 


 
.