DK151 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK151  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK151

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK151 даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 dk151.pdf pdf_icon

DK151

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK151 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching volta

 0.1. Size:208K  inchange semiconductor
 dk151g.pdf pdf_icon

DK151

isc Silicon NPN Power Transistor DK151G DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: CHTA92LGP, CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, DK100, DK101, DK11, DK150, BC549, DK200, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31, DK313, DK319