DK51 - описание и поиск аналогов

 

DK51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DK51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK51 даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 dk51.pdf pdf_icon

DK51

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK51 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching voltag

Другие транзисторы: DK201, DK30, DK300, DK301, DK31, DK313, DK319, DK50, MPSA42, DMA20101, DMA20201, DMA20401, DMA20402, DMA20403, DMA204A0, DMA20601, DMA206E1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.