DSAFG01 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DSAFG01 📄📄
Маркировка: A4
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: ML3-N4-B
Аналоги (замена) для DSAFG01
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DSAFG01 даташит
dsafg01.pdf
DSAFG01 Total pages page Tentative DSAFG01 Silicon PNP epitaxial planar type For High-frequency Amplifier Marking Symbol A4 Package Code ML3-N4-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Rating Unit 1. Base Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -30 V Pin name 2. Emitter Collector-emitter voltage (Base open) VCEO -20 V 3. Collector Emitter-base voltage (Collecto
Другие транзисторы: DSA8101, DSA8102, DSA8508, DSA9001, DSA9005, DSA9402, DSA9G01, DSAF001, 2SD1047, DSAQ001, DSC2001, DSC2002, DSC2005, DSC2501, DSC2A01, DSC2C01, DSC2F01
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194

