DT430 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DT430

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-3PN

 Аналоги (замена) для DT430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT430 даташит

 ..1. Size:65K  njs
 dt430.pdf pdf_icon

DT430

Другие транзисторы: DSC9A01, DSC9F01, DSC9G02, DSCF001, DSCQ001, DSS4160DS, DSS4160T, DSS5160T, 2SC2383, L2SA1235FLT1G, L2SA1577PT1G, FMBS2383, FMBT5401LG, GCA1943T, GMA6801, GMC6802, KSR16