Справочник транзисторов. FMBT5401LG

 

Биполярный транзистор FMBT5401LG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FMBT5401LG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FMBT5401LG

 

 

FMBT5401LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  first silicon
fmbt5401lg.pdf

FMBT5401LG
FMBT5401LG

FMBT5401LGHigh Voltage TransistorsFeaturesPackage outline Pb-Free package is available.3Device Marking And Ordering InformationDevice Marking And Ordering InformationDevice Package Shipping1FMBT5401LG SOT-23 3000/Tape&Reel2SOT23Maximum RatingsRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc3COLLECTORCollector-Base Voltage VCBO -160 VdcE

 9.1. Size:752K  first silicon
fmbt5551lg.pdf

FMBT5401LG
FMBT5401LG

FMBT5401LGHigh Voltage TransistorsFeaturesPackage outline Pb-Free package is available.3Device Marking And Ordering InformationDevice Marking And Ordering InformationDevice Package Shipping1FMBT5401LG SOT-23 3000/Tape&Reel2SOT23Maximum RatingsRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc3COLLECTORCollector-Base Voltage VCBO -160 VdcE

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top