EMX26 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMX26

Маркировка: X26

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMX26

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMX26 даташит

 ..1. Size:60K  rohm
 emx26.pdf pdf_icon

EMX26

EMX26 Transistors General purpose transistors (dual transistors) EMX26 External dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SD2654 chips in a EMT package. EMX26 2) Mounting possible with EMT3 automatic mounting machines. (4) ( ) 3 (5) (2) 3) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1) 6 1.2 1.6 interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half.

Другие транзисторы: KSU13005A, KT9128AC, KT9147A, L14D1, L14D2, L14D3, L14D4, EMX2, 2N5551, EMX2DXV6T5G, EMX2FHA, EMX3, EMX3FHA, EMX5, EMX51, EMX52, EMY1