Биполярный транзистор EMX5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMX5
Маркировка: X5
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: EMT6
EMX5 Datasheet (PDF)
emx5 umx5n imx5.pdf
High transition frequency (dual transistors) EMX5 / UMX5N / IMX5 Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX62) High transition frequency. (fT=3.2GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Inner circuits EMX5 / UMX5N IMX5(3) (2) (1) (4) (5) (6)ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsTr2 Tr2 Tr1SOT-563Tr1UMX5N
emx5.pdf
High transition frequency (dual transistors) EMX5 / UMX5N / IMX5 Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX62) High transition frequency. (fT=3.2GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Inner circuits EMX5 / UMX5N IMX5(3) (2) (1) (4) (5) (6)ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsTr2 Tr2 Tr1Tr1UMX5N(4) (5) (
emx5 imx5 umx5n.pdf
High transition frequency (dual transistors) EMX5 / UMX5N / IMX5 Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX62) High transition frequency. (fT=3.2GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Inner circuits EMX5 / UMX5N IMX5(3) (2) (1) (4) (5) (6)ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsTr2 Tr2 Tr1Tr1UMX5N(4) (5) (
emx52.pdf
VT6X2 / EMX52DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO50VIC100mA VT6X2 EMX52(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR523 chips in one package.3) Transister elements are indepe
emx51.pdf
VT6X1 / EMX51DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO20VIC200mA VT6X1 EMX51(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR522 chips in one package.3) Transister elements are indepe
vt6x2 emx52.pdf
VT6X2 / EMX52DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO50VIC100mA VT6X2 EMX52(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR523 chips in one package.3) Transister elements are indepe
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050