EMX51 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMX51

Маркировка: X51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMX51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMX51 даташит

 ..1. Size:1221K  rohm
 emx51.pdf pdf_icon

EMX51

VT6X1 / EMX51 Datasheet Power management (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6 VCEO 20V IC 200mA VT6X1 EMX51 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) Two 2SCR522 chips in one package. 3) Transister elements are indepe

Другие транзисторы: L14D4, EMX2, EMX26, EMX2DXV6T5G, EMX2FHA, EMX3, EMX3FHA, EMX5, TIP41, EMX52, EMY1, EMZ1FHA, EMZ2, EMZ2FHA, EMZ51, EMZ52, EMZ7