Биполярный транзистор EMZ7 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: EMZ7
Маркировка: Z7
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: EMT6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
EMZ7 Datasheet (PDF)
emz7 umz7n.pdf

General purpose transistor (dual transistors) EMZ7 / UMZ7N Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in EMZ7 UMZ7Na EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 (4) ( )3automatic mounting machines. ( ) ( )5 23) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1)61.2 interference. 1.61.254) Mounting cost
emz7 emz7n.pdf

EMZ7 / UMZ7NTransistorsGeneral purpose transistor (dual transistors) EMZ7/UMZ7N External dimensions (Unit : mm) Features 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in a EMT or EMZ7 UMZ7NUMT package.2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic( ) (3)4mounting machines. ( ) ( )5 2(6) ( )11.23) Transistor elements are independent, eliminating 1.61.25
emz7.pdf

General purpose transistor (dual transistors) EMZ7 / UMZ7N Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in EMZ7 UMZ7Na EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 (4) ( )3automatic mounting machines. ( ) ( )5 23) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1)61.2 interference. 1.61.254) Mounting cost
pemz7.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PEMZ7NPN/PNP general purpose transistorsProduct data sheet 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Sep 25NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP general purpose transistors PEMZ7FEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 1.2 mm ultra thin package1, 4 emitter TR1; TR2 Self align
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | MS2204 | 2SC3648T | CMPT3820 | SM2284
History: PN4142 | SGSIF444 | MS2204 | 2SC3648T | CMPT3820 | SM2284



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560