F8050HPLG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: F8050HPLG  📄📄 

Маркировка: 1HA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для F8050HPLG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F8050HPLG даташит

 ..1. Size:412K  first silicon
 f8050hplg.pdf pdf_icon

F8050HPLG

F8050HPLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline F8050HPLG TRANSISTOR NPN SOT-23 Features Complimentary to F8550HQLG Collector Current IC=0.5A 1. BASE 2. EMITTER Marking 1HA 3. COLLECTOR Maximum Ratings(T a=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-

 8.1. Size:465K  first silicon
 f8050hqlg.pdf pdf_icon

F8050HPLG

F8050HQLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline F8050HQLG TRANSISTOR NPN SOT-23 Features Power dissipation PCM 0.3 W Tamb=25 1. BASE Collector current 2. EMITTER ICM 1.5 A 3. COLLECTOR Collector-base voltage V(BR)CBO 40 V Operating and storage junction temperature range TJ Tstg -55 to +150 Device Mark

Другие транзисторы: EMZ2FHA, EMZ51, EMZ52, EMZ7, ETF81-050, ETG81-050A, ETL81-050, ETN35-030, 13009, F8050HQLG, FMB2907A, EMT52, EMX18, EMX1DXV6T1G, EMX1DXV6T5G, EMX1FHA, CHEMF17GP