EMT52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMT52  📄📄 

Маркировка: T52

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMT52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMT52 даташит

 ..1. Size:1227K  rohm
 emt52.pdf pdf_icon

EMT52

VT6T2 / EMT52 Datasheet General purpose transister (isolated dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6 VCEO -50V IC -100mA VT6T2 EMT52 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) Two 2SAR523 chips in one package. 3) Transiste

Другие транзисторы: EMZ7, ETF81-050, ETG81-050A, ETL81-050, ETN35-030, F8050HPLG, F8050HQLG, FMB2907A, TIP31C, EMX18, EMX1DXV6T1G, EMX1DXV6T5G, EMX1FHA, CHEMF17GP, CHEMF18GP, CHEMF19GP, CHEMF20GP