2S019. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2S019

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2S019

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2S019 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2S005, 2S012, 2S012A, 2S013, 2S013A, 2S014, 2S017, 2S018, TIP42, 2S020, 2S021, 2S022, 2S023, 2S024, 2S025, 2S026, 2S033