DME50501. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DME50501

Маркировка: B1

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для DME50501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DME50501 даташит

 ..1. Size:517K  panasonic
 dme50501.pdf pdf_icon

DME50501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50501 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20501 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B C

 9.1. Size:526K  panasonic
 dme50101.pdf pdf_icon

DME50501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50101 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co

 9.2. Size:527K  panasonic
 dme50b01.pdf pdf_icon

DME50501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50B01 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20B01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C

 9.3. Size:527K  panasonic
 dme50c01.pdf pdf_icon

DME50501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50C01 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20C01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMC50401, DMC50501, DMC505C0, DMC505E0, DMC505E2, DMC50601, DMC506E2, DME50101, 13007, DME50B01, DME50C01, DME914C1, DMG20102, DMG20401, DMG20402, DMG204A0, DMG204B0