Биполярный транзистор DMG204A0 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMG204A0
Маркировка: C2
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-457
DMG204A0 Datasheet (PDF)
dmg204a0.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG204A0Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For low frequency amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free
dmg204b0.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG204B0Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For low frequency amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free
dmg20402.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG20402Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of se
dmg20401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG20401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Package Features Code High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Pin Name Contributes to miniatur
dmg204b1.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG204B1Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For low frequency amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050