DXT5616U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DXT5616U

Маркировка: XT5616

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для DXT5616U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DXT5616U даташит

 ..1. Size:337K  diodes
 dxt5616u.pdf pdf_icon

DXT5616U

A Product Line of Diodes Incorporated Green DXT5616U 80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN TO126 Features Mechanical Data BVCEO > 80V Case TO126 IC = 1A Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound; ICM = 2A Peak Pulse Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(sat)

Другие транзисторы: DMG204A0, DMG204B0, DMG204B1, DXT13003DG, DXT13003DK, DXT13003EK, DXT2012P5, DXT2014P5, S9014, DXT696BK, DXTD882, DXTN26070CY, E13005-225, E13005-250, E13005D-213, ECH8502-TL-H, ECH8503-TL-H