Справочник транзисторов. ECH8502-TL-H

 

Биполярный транзистор ECH8502-TL-H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ECH8502-TL-H
   Маркировка: MB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 290 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8502-TL-H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ECH8502-TL-H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:441K  sanyo
 ech8502.pdf pdf_icon

ECH8502-TL-H

ECH8502Ordering number : ENA1758SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8502Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc

 7.2. Size:406K  onsemi
 ech8502.pdf pdf_icon

ECH8502-TL-H

Ordering number : ENA1758AECH8502Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( )50V, 30A, Low VCE sat Complementary Dual ECH8Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free compliance( ): PN

 8.1. Size:323K  sanyo
 ech8503.pdf pdf_icon

ECH8502-TL-H

ECH8503Ordering number : ENA1680SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorECH8503Motor Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO

 8.2. Size:421K  sanyo
 ech8501.pdf pdf_icon

ECH8502-TL-H

ECH8501Ordering number : ENA1581SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8501Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... DXT2014P5 , DXT5616U , DXT696BK , DXTD882 , DXTN26070CY , E13005-225 , E13005-250 , E13005D-213 , TIP35C , ECH8503-TL-H , EML22 , EMT18 , EMT1DXV6T1G , EMT1DXV6T5G , EMT1FHA , EMT2 , EMT2FHA .

History: PBLS1501V

 

 
Back to Top

 


 
.