L2SC3837QLT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

L2SC3837QLT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: L2SC3837QLT1G
   Маркировка: AQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для L2SC3837QLT1G

 

L2SC3837QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  lrc
 l2sc3837qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837QLT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) S-L2SC3837QLT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AE

 6.1. Size:94K  lrc
 s-l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837T1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) S-L2SC3837T1G 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

 6.2. Size:74K  lrc
 l2sc3837lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) S-L2SC3837LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.3. Size:94K  lrc
 l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837T1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) S-L2SC3837T1G 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... EMT1FHA , EMT2 , EMT2FHA , EMT3 , EMT3FHA , L2SA1577QT1G , L2SA1577RT1G , L2SA2030M3T5G , SS8050 , L2SC3837T1G , L2SC3838QLT1G , L2SC4226T1G , L2SC5343QLT1G , L2SC5343RLT1G , L2SC5343SLT1G , L2SC5635LT1G , L2SD1781KQLT1G .

History: IMH9AFRA | HEPS9149

 

 
Back to Top

 


 
.