Справочник транзисторов. L2SC3837T1G

 

Биполярный транзистор L2SC3837T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SC3837T1G
   Маркировка: H15
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-457
 

 Аналог (замена) для L2SC3837T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3837T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  lrc
 l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837T1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)S-L2SC3837T1G3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101

 0.1. Size:94K  lrc
 s-l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837T1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)S-L2SC3837T1G3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101

 6.1. Size:74K  lrc
 l2sc3837lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837LT1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)S-L2SC3837LT1G2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.35.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-

 6.2. Size:79K  lrc
 l2sc3837qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837QLT1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)S-L2SC3837QLT1G2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.35.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... EMT2 , EMT2FHA , EMT3 , EMT3FHA , L2SA1577QT1G , L2SA1577RT1G , L2SA2030M3T5G , L2SC3837QLT1G , D209L , L2SC3838QLT1G , L2SC4226T1G , L2SC5343QLT1G , L2SC5343RLT1G , L2SC5343SLT1G , L2SC5635LT1G , L2SD1781KQLT1G , L8050HSLT1G .

History: BUS22C | CD922 | CHFMA10GP | T2417 | KSC5026N | 2SC4261

 

 
Back to Top

 


 
.