L2SC3837T1G - описание и поиск аналогов

 

L2SC3837T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SC3837T1G

Маркировка: H15

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-457

 Аналоги (замена) для L2SC3837T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3837T1G даташит

 ..1. Size:94K  lrc
 l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837T1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) S-L2SC3837T1G 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

 0.1. Size:94K  lrc
 s-l2sc3837t1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837T1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) S-L2SC3837T1G 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

 6.1. Size:74K  lrc
 l2sc3837lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) S-L2SC3837LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.2. Size:79K  lrc
 l2sc3837qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837QLT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) S-L2SC3837QLT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMT2, EMT2FHA, EMT3, EMT3FHA, L2SA1577QT1G, L2SA1577RT1G, L2SA2030M3T5G, L2SC3837QLT1G, 8550, L2SC3838QLT1G, L2SC4226T1G, L2SC5343QLT1G, L2SC5343RLT1G, L2SC5343SLT1G, L2SC5635LT1G, L2SD1781KQLT1G, L8050HSLT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.