Биполярный транзистор L2SC5343QLT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: L2SC5343QLT1G
Маркировка: 7Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для L2SC5343QLT1G
L2SC5343QLT1G Datasheet (PDF)
l2sc5343qlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC5343QLT1GGeneral Purpose Transistors SeriesS-L2SC5343QLT1GNPN SiliconFEATURE Series Excellent hFE linearity 3:hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). 1 Low noise:NF=1Db(Typ).at f=1KHz. 2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 23 S- Prefix for Automotive a
l2sc5343rlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC5343QLT1GGeneral Purpose Transistors SeriesNPN SiliconS-L2SC5343QLT1GFEATURE SeriesExcellent hFE linearity :hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma 3:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). 1 Low noise:NF=1Db(Typ).at f=1KHz. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 S- Prefix for Automotive and Other Applic
l2sc5343slt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL2SC5343QLT1GNPN Silicon SeriesS-L2SC5343QLT1GFEATURE Excellent hFE linearity Series:hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma 3:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). Low noise:NF=1Db(Typ).at f=1KHz. 12 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Appli
l2sc5658qm3t5g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC5658QM3T5GNPN Silicon GeneralL2SC5658RM3T5GPurpose Amplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifier3applications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.2Features1 Reduces Board SpaceSOT 723 High h
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MMBT6427L | 2SC413 | MMBTA56-AU | CHT2222VGP | TA1797 | TIP140T | TIP34B
History: MMBT6427L | 2SC413 | MMBTA56-AU | CHT2222VGP | TA1797 | TIP140T | TIP34B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l