L2SC5343SLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SC5343SLT1G

Маркировка: 7S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для L2SC5343SLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC5343SLT1G даташит

 ..1. Size:383K  lrc
 l2sc5343slt1g.pdf pdf_icon

L2SC5343SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L2SC5343QLT1G NPN Silicon Series S-L2SC5343QLT1G FEATURE Excellent hFE linearity Series hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma 3 hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). Low noise NF=1Db(Typ).at f=1KHz. 1 2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Appli

 6.1. Size:392K  lrc
 l2sc5343qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC5343SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC5343QLT1G General Purpose Transistors Series S-L2SC5343QLT1G NPN Silicon FEATURE Series Excellent hFE linearity 3 hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). 1 Low noise NF=1Db(Typ).at f=1KHz. 2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 23 S- Prefix for Automotive a

 6.2. Size:397K  lrc
 l2sc5343rlt1g.pdf pdf_icon

L2SC5343SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC5343QLT1G General Purpose Transistors Series NPN Silicon S-L2SC5343QLT1G FEATURE Series Excellent hFE linearity hFE(2)=100(Typ) at VCE=6V,IC=150Ma 3 hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ). 1 Low noise NF=1Db(Typ).at f=1KHz. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 S- Prefix for Automotive and Other Applic

 9.1. Size:330K  lrc
 l2sc5658qm3t5g.pdf pdf_icon

L2SC5343SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC5658QM3T5G NPN Silicon General L2SC5658RM3T5G Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier 3 applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. 2 Features 1 Reduces Board Space SOT 723 High h

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SA1577RT1G, L2SA2030M3T5G, L2SC3837QLT1G, L2SC3837T1G, L2SC3838QLT1G, L2SC4226T1G, L2SC5343QLT1G, L2SC5343RLT1G, A1013, L2SC5635LT1G, L2SD1781KQLT1G, L8050HSLT1G, L8550HSLT1G, L9012, L9013, L9014, LBC807-16DMT1G