Биполярный транзистор M54567P Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: M54567P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.92 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
   Корпус транзистора: 16P4
     - подбор биполярного транзистора по параметрам