M54567P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: M54567P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.92 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000
Корпус транзистора: 16P4
Аналоги (замена) для M54567P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
M54567P даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: M54531P, M54531WP, M54532FP, M54532P, M54561P, M54566DP, M54566WP, M54567FP, B647, M54580FP, M54580P, M54583FP, M54583WP, M54585FP, M8050-C, M8050-D, M8050S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor