M54583FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: M54583FP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: 20P2N-A

 Аналоги (замена) для M54583FP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

M54583FP даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: M54532P, M54561P, M54566DP, M54566WP, M54567FP, M54567P, M54580FP, M54580P, BD333, M54583WP, M54585FP, M8050-C, M8050-D, M8050S, M8550S, MA42, MA92