RT3CLLM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3CLLM

Маркировка: CLL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3CLLM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3CLLM даташит

 ..1. Size:163K  isahaya
 rt3cllm.pdf pdf_icon

RT3CLLM

PRELIMINARY RT3CLLM Composite Transistor For Low Frequency Amplify Application Silicon Npn Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3CLLM is compound transistor built with two 2SC4154 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon NPN epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify appli

Другие транзисторы: MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, A1015, RT3CRRM, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX