Справочник транзисторов. PBSS4021PX

 

Биполярный транзистор PBSS4021PX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4021PX
   Маркировка: *6E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 105 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4021PX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  philips
 pbss4021px.pdf pdf_icon

PBSS4021PX

PBSS4021PX20 V, 6.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 ..2. Size:195K  nxp
 pbss4021px.pdf pdf_icon

PBSS4021PX

PBSS4021PX20 V, 6.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.1. Size:187K  philips
 pbss4021pz.pdf pdf_icon

PBSS4021PX

PBSS4021PZ20 V, 6.6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 5.2. Size:176K  philips
 pbss4021pt.pdf pdf_icon

PBSS4021PX

PBSS4021PT20 V, 3.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 29 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | RN2970CT | HSBD435 | ZXTN25012EZ | 3CK050

 

 
Back to Top

 


 
.