PBSS4021PZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4021PZ

Маркировка: PB4021PZ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBSS4021PZ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4021PZ даташит

 ..1. Size:187K  philips
 pbss4021pz.pdf pdf_icon

PBSS4021PZ

PBSS4021PZ 20 V, 6.6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4021NZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 ..2. Size:188K  nxp
 pbss4021pz.pdf pdf_icon

PBSS4021PZ

PBSS4021PZ 20 V, 6.6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4021NZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 5.1. Size:195K  philips
 pbss4021px.pdf pdf_icon

PBSS4021PZ

PBSS4021PX 20 V, 6.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4021NX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.2. Size:176K  philips
 pbss4021pt.pdf pdf_icon

PBSS4021PZ

PBSS4021PT 20 V, 3.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 29 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4021NT. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ, PBSS4021PX, 2N2222A, PBSS4021SN, PBSS4021SP, PBSS4021SPN, PBSS4032NX, PBSS4032NZ, PBSS4032PX, PBSS4032PZ, PBSS4032SN