PBSS4032SN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBSS4032SN
Маркировка: 4032SN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: SO-8
Аналоги (замена) для PBSS4032SN
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBSS4032SN даташит
pbss4032sn.pdf
PBSS4032SN 30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 13 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complement NXP Name
pbss4032sn.pdf
PBSS4032SN 30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 13 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complement NXP Name
pbss4032spn.pdf
PBSS4032SPN 30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 14 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complement NXP Name PBSS
pbss4032sp.pdf
PBSS4032SP 30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 13 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN NPN/PNP complement complement NXP Name
Другие транзисторы: PBSS4021PZ, PBSS4021SN, PBSS4021SP, PBSS4021SPN, PBSS4032NX, PBSS4032NZ, PBSS4032PX, PBSS4032PZ, S8550, PBSS4032SP, PBSS4032SPN, PBSS4041NX, PBSS4041NZ, PBSS4041PX, PBSS4041PZ, PBSS4041SN, PBSS4041SP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor






