PBSS4032SP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBSS4032SP
Маркировка: 4032SP
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SO-8
Аналоги (замена) для PBSS4032SP
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBSS4032SP даташит
pbss4032sp.pdf
PBSS4032SP 30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 13 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN NPN/PNP complement complement NXP Name
pbss4032sp.pdf
PBSS4032SP 30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 13 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN NPN/PNP complement complement NXP Name
pbss4032spn.pdf
PBSS4032SPN 30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 14 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complement NXP Name PBSS
pbss4032spn.pdf
PBSS4032SPN 30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 14 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complement NXP Name PBSS
Другие транзисторы: PBSS4021SN, PBSS4021SP, PBSS4021SPN, PBSS4032NX, PBSS4032NZ, PBSS4032PX, PBSS4032PZ, PBSS4032SN, 2SC4793, PBSS4032SPN, PBSS4041NX, PBSS4041NZ, PBSS4041PX, PBSS4041PZ, PBSS4041SN, PBSS4041SP, PBSS4041SPN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419






