Биполярный транзистор PBSS4160PANP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS4160PANP
Маркировка: 2M
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-1118
Аналоги (замена) для PBSS4160PANP
PBSS4160PANP Datasheet (PDF)
pbss4160panp.pdf
PBSS4160PANP60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor14 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: PBSS4160PAN. PNP/PNP complement: PBSS5160PAP.2. Features and benefits Very low collecto
pbss4160panps.pdf
PBSS4160PANPS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 February 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS.2.
pbss4160pans.pdf
PBSS4160PANS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 February 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.NPN/PNP complement: PBSS4160PANPS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS.2.
pbss4160pan.pdf
PBSS4160PAN60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor14 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4160PANP. PNP/PNP complement: PBSS5160PAP.2. Features and benefits Very low collecto
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS