Биполярный транзистор KSD5703 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD5703
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5.3
Корпус транзистора: TO-3PH
KSD5703 Datasheet (PDF)
8.1. Size:83K samsung
ksd5702.pdf
ksd5702.pdf
NPN TRIPLE DIFFUSEDKSD5702 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTTO-3PFAPPLICATION (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Switching Speed (tf. max=0.4uS)ABSOLUTE MIXIMUM RATINGCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ