MD6002HX - описание и поиск аналогов

 

MD6002HX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MD6002HX

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-78

 Аналоги (замена) для MD6002HX

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MD6002HX даташит

 ..1. Size:59K  crystaloncs
 md6002fhxv md6002hx mhq6002hx mq6002hxv.pdf pdf_icon

MD6002HX

 9.1. Size:197K  onsemi
 nimd6001n nimd6001an.pdf pdf_icon

MD6002HX

NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50

 9.2. Size:206K  onsemi
 nimd6001n.pdf pdf_icon

MD6002HX

NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50

 9.3. Size:1830K  willsemi
 wnmd6003.pdf pdf_icon

MD6002HX

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2 trench technology and design to provide excellent 6 5 4 RDS (ON) with low gate charge. This d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MD3250AF , MD3251A , MD3251AF , MD3251AFHXV , MD3251AHX , MD3468FHXV , MD3468HX , MD6002FHXV , 2SC2625 , MD7002A , MD7002B , MD7003A , MD7003AF , MD7003B , MD708B , MD918A , MD918AF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.