Биполярный транзистор GSTD882 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GSTD882
Маркировка: D882
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO-252
GSTD882 Datasheet (PDF)
..1. Size:343K globaltech semi
gstd882.pdf
gstd882.pdf
GSTD882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Freeamplifier and switch. Packages & Pin Assignments TO-252 Pin Description1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTD882F TO-252 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ