Справочник транзисторов. GSTSS8050LT1

 

Биполярный транзистор GSTSS8050LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GSTSS8050LT1
   Маркировка: 1HA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для GSTSS8050LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTSS8050LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  globaltech semi
 gstss8050lt1.pdf pdf_icon

GSTSS8050LT1

GSTSS8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector-Base Voltage : 40V Collector Current : 1500mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Part Markin

 5.1. Size:183K  globaltech semi
 gstss8050.pdf pdf_icon

GSTSS8050LT1

GSTSS8050 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 1.5A Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments TO-92 Pin Description1 Emitter 2 Base 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTSS8050F TO-92 (B) / (C) / (

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SA805 | 2SA1052D | BC222 | 2SB1296T | GT250-8D | 2N5313 | 2SB1394

 

 
Back to Top

 


 
.