LMBT6429LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT6429LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT6429LT1G

Маркировка: M1L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LMBT6429LT1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT6429LT1G даташит

 ..1. Size:280K  lrc
 lmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6429LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBT6428LT1G Qualified and PPAP Capable. ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (S

 7.1. Size:352K  lrc
 lmbt6428lt1g lmbt6428lt3g.pdf pdf_icon

LMBT6429LT1G

LMBT6428LT1G S-LMBT6428LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. SOT23 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Ship

 7.2. Size:238K  lrc
 lmbt6427lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6429LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors NPN Silicon LMBT6427LT1G We declare that the material of product . compliance with RoHS requirements. S-LMBT6427LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring . Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information Device Marking Shipping 1 LMBT6427LT1G 300

 7.3. Size:282K  lrc
 lmbt6428lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6429LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT6428LT1G ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... GSTS772 , GSTS882 , GSTS9014LT1 , GSTSS8050 , GSTSS8050LT1 , LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , A1013 , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G , LS301 , LS302 , LS303 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.