Биполярный транзистор LMBTA06UT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBTA06UT1G
Маркировка: 3GM
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-457
- подбор биполярного транзистора по параметрам
LMBTA06UT1G Datasheet (PDF)
lmbta06ut1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual Driver TransistorsNPN/PNP Duals LMBTA05UT1GLMBTA06UT1GFEATURES We declare that the material of product S-LMBTA05UT1Gcompliance with RoHS requirements.S-LMBTA06UT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGSValueRating Sy
lmbta06lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsFEATURESLMBTA05LT1G We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA06LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA06LT1GMAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBT
lmbta05lt1g lmbta06lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsFEATURESLMBTA05LT1G We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA06LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA06LT1GMAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBT
lmbta06wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsFEATURESLMBTA05WT1G We declare that the material of productLMBTA06WT1Gcompliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05WT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA06WT1GQualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBT
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 40389 | 2SB1346 | LMUN5216T1G | 2SB1269
History: 40389 | 2SB1346 | LMUN5216T1G | 2SB1269



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet