LMBTA43LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBTA43LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBTA43LT1G

Маркировка: M1E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LMBTA43LT1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBTA43LT1G даташит

 ..1. Size:390K  lrc
lmbta42lt1g lmbta42lt3g lmbta43lt1g lmbta43lt3g.pdfpdf_icon

LMBTA43LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Package Shipping S-LMB

 ..2. Size:390K  lrc
lmbta42lt1g lmbta43lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA43LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Package Shipping S-LMB

 ..3. Size:98K  lrc
lmbta43lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA43LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and LMBTA43LT1G PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION S-LMBTA43LT1G Device Marking P

 8.1. Size:94K  lrc
lmbta44lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA43LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LMBTA44LT1G LMBTA44LT1G S-LMBTA44LT1G NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 Description The LMBTA44LT1G is designed for application 1 that requires high voltage. 2 Features High Breakdown Voltage VCEO=400(Min.) at IC=1mA SOT 23 Complementary to LMBTA94LT1G S- Prefix

Другие транзисторы... GSTSS8050 , GSTSS8050LT1 , LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , 2SC2655 , LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , LS312 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.