Биполярный транзистор LSSBTH10T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LSSBTH10T1G
Маркировка: A16
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SC-74
Аналоги (замена) для LSSBTH10T1G
LSSBTH10T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:553K lrc
lssbth10t1g.pdf
lssbth10t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF Transistors Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and LSSBTH10T1GPPAP Capable.S-LSSBTH10T1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLSSBTH10T1G3000/Tape&ReelA16S-LSSBTH10T1GLSSBTH10T3G10000/Tape&ReelA16S-LSSBTH10
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS