Биполярный транзистор MJ15023G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ15023G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
MJ15023G Datasheet (PDF)
mj15023g.pdf
PNP - MJ15023, MJ15025**MJ15025 is a Preferred DeviceSilicon Power TransistorsThe MJ15023 and MJ15025 are PowerBase power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearapplications.Featureshttp://onsemi.com High Safe Operating Area (100% Tested) -2 A @ 80 V High DC Current Gain - hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc16 AMPERES Pb-Free Packa
mj15023-25 mj15023r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ15023/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPNPMJ15023MJ15025 *Silicon Power TransistorsThe MJ15023 and MJ15025 are PowerBase power transistors designed for high*Motorola Preferred Devicepower audio, disk head positioners and other linear applications.16 AMPERE High Safe Operating Area (100% Tested) SILICON2 A @ 80 VPOWER TRANSISTORS
mj15023 mj15025.pdf
MJ15023 (PNP),MJ15025 (PNP)Silicon Power TransistorsThe MJ15023 and MJ15025 are power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications.Features http://onsemi.com High Safe Operating Area16 AMPERES High DC Current GainSILICON POWER TRANSISTORS Complementary to MJ15022 (NPN), MJ15024 (NPN)200 - 250 VOLTS, 250 WATTS T
mj15023 mj15025.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors MJ15023 MJ15025 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type MJ15022; MJ15024 Excellent safe operating area High DC current gain hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPT
mj15023.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors MJ15023DESCRIPTIONComplement to Type NPN MJ15022Excellent Safe Operating AreaHigh DC current GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio, disk head positionersand other linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: D45H6
History: D45H6
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050