MJ21194G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ21194G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ21194G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ21194G даташит

 ..1. Size:153K  onsemi
 mj21194g.pdf pdf_icon

MJ21194G

MJ21193, MJ21194 Preferred Device Silicon Power Transistors The MJ21193 (PNP) and MJ21194 (NPN) utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features http //onsemi.com Total Harmonic Distortion Characterized High DC Current Gain - hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc 16 AMP COMPLEMENTARY

 7.1. Size:122K  onsemi
 mj21193 mj21194.pdf pdf_icon

MJ21194G

MJ21193 - PNP MJ21194 - NPN Silicon Power Transistors The MJ21193 (PNP) and MJ21194 (NPN) utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMP COMPLEMENTARY High DC Current Gain SILICON POWER Excellent Gain Lin

 7.2. Size:167K  cn sptech
 mj21194.pdf pdf_icon

MJ21194G

SPTECH Product Specification Silicon NPN Power Transistor MJ21194 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h = 25-75@I = 8A,V = 5V FE C CE Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.4 V(Max)@ I = 8A CE(sat C Complement to the PNP MJ21193 APPLICATIONS Designed for high power audio output, disk head positioners and other linear applications. ABSOLUT

 7.3. Size:201K  inchange semiconductor
 mj21194.pdf pdf_icon

MJ21194G

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ21194 DESCRIPTION Total Harmonic Distortion Characterized High DC Current Gain High Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ15015G, MJ15016G, MJ15022G, MJ15023G, MJ15024G, MJ15025G, MJ16018-1400V, MJ21193G, TIP41, MJ21195G, MJ21196G, MJ2955G, MJ3055, MJ4502G, MJ802G, MJ8100R, MJB41CG