Справочник транзисторов. MJ21196G

 

Биполярный транзистор MJ21196G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ21196G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJ21196G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
mj21195g mj21196g.pdfpdf_icon

MJ21196G

MJ21195G - PNPMJ21196G - NPNSilicon Power TransistorsThe MJ21195G and MJ21196G utilize Perforated Emittertechnology and are specifically designed for high power audio output,disk head positioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERESCOMPLEMENTARY SILICON- High DC Current GainPOWER TRANSISTORS Excelle

 ..2. Size:83K  onsemi
mj21196g.pdfpdf_icon

MJ21196G

MJ21195 - PNPMJ21196 - NPNPreferred DevicesSilicon Power TransistorsThe MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technologyand are specifically designed for high power audio output, disk headpositioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERESCOMPLEMENTARY SILICON- High DC Current Gain - hFE = 25 Min @

 7.1. Size:82K  onsemi
mj21195 mj21196.pdfpdf_icon

MJ21196G

MJ21195 - PNPMJ21196 - NPNPreferred DevicesSilicon Power TransistorsThe MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technologyand are specifically designed for high power audio output, disk headpositioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERESCOMPLEMENTARY SILICON- High DC Current Gain - hFE = 25 Min @

 8.1. Size:173K  motorola
mj21193r.pdfpdf_icon

MJ21196G

Order this documentMOTOROLAby MJ21193/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPNP*MJ21193NPNSilicon Power Transistors*MJ21194The MJ21193 and MJ21194 utilize Perforated Emitter technology and are*Motorola Preferred Devicespecifically designed for high power audio output, disk head positioners and linearapplications.16 AMPERECOMPLEMENTARY Total Harmonic Distortion Charac

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BCY79X | TMPC1623L7 | 2SC3597D | ESM2894 | 2SD1074 | BF460EA | BU931ZP

 

 
Back to Top

 


 
.