Справочник транзисторов. MJD253T4G

 

Биполярный транзистор MJD253T4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD253T4G
   Маркировка: J253G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для MJD253T4G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD253T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  onsemi
 mjd253t4g.pdf pdf_icon

MJD253T4G

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

 8.1. Size:107K  onsemi
 mjd243 mjd253.pdf pdf_icon

MJD253T4G

MJD243 (NPN),MJD253 (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsDPAK-3 for Surface Mount Applicationswww.onsemi.comDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.4.0 A, 100 V, 12.5 WFeaturesPOWER TRANSISTOR High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves COMPLEMENTARY(No Suffix)COLLECTOR COLL

 8.2. Size:200K  onsemi
 mjd253-1g.pdf pdf_icon

MJD253T4G

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

 8.3. Size:200K  onsemi
 njvmjd243 njvmjd253.pdf pdf_icon

MJD253T4G

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJD200RLG , MJD200T4G , MJD210G , MJD210RLG , MJD210T4G , MJD243G , MJD243T4G , MJD253-1G , BC558 , MJD2955-1G , MJD2955G , MJD2955T4G , MJD3055G , MJD3055T4G , MJD31C1G , MJD31CG , MJD31CQ .

History: STA301A | 2SC3766 | AF128Y | MMBT5551WT1 | 2SC3772-3 | 9017

 

 
Back to Top

 


 
.